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目录1

第一章 半导体的电子结构和导电性1

1·1周期性势场中的电子1

1·1·1晶格和例易晶格1

1·1·2能带理论2

1·2半导体的电子和空穴7

1·2·1导体、绝缘体、半导体7

1·2·2杂质能级8

1·2·3电子和空穴的运动方程11

1·3半导体的导电性14

1·3·1载流子浓度的温度特性14

1·3·2载流子的迁移率18

1·3·3电子（空穴）的散射21

1·3·4磁场效应23

1·3·5实验分析、模型修正及其他问题27

2·1霍耳效应及电阻率32

第二章 半导体的电磁效应32

2·2磁阻效应36

2·3苏耳效应及其他39

第三章 半导体中的载流子扩散、复合及俘获41

3·1非平衡载流子的行为41

3·2复合机构42

3·2·1直接复合43

3·2·2涌过复合中心的复合43

3·2·3表面复合46

3·3寿命测定法47

3·4实验结果47

3·5俘获现象49

第四章 不均匀半导体和载流子注入及空间电荷51

4·1扩散电位51

4·2pn结和空间电荷54

4·3载流子注入及空间电荷59

5·2电子温度和迁移率70

5·1欧姆定律和电场强度70

第五章 强电场下的现象70

5·3电场引起的电子浓度的变化72

5·4隧道电流74

第六章 压电电阻效应76

6·1压电电阻系数76

6·2压电电阻产生的原因、应力引起的能带结构的变化78

第七章 半导体中的电流、电压放大现象81

7·1pn钩结构81

7·2陷阱的电流放大84

7·3负电阻85

7·3·1隧道二极管85

7·3·2负质量放大器86

第八章 光电效应88

8·1光引起的载流子浓度变化和电子发射88

8·1·1固体的光吸收和光电导88

8·1·2光电导93

8·1·3光电子发射96

8·2光致电压的产生97

8·2·1内部吸收光的情形98

8·2·2pn结光生伏特98

8·2·3光电磁效应99

8·3半导体的发光99

8·3·1发光机构99

8·3·2场致发光101

8·4增补（跃迁几率）101

8·4·2跃迁定律102

8·4·1跃迁几率的形式102

第九章 温差电效应104

9·1塞贝克效应、珀耳帖效应、汤姆孙效应104

9·2绝对温差电动势（绝对塞贝克效应）107

9·3半导体的温差电动势108

9·4电阻率的温度系数110

9·5热离子放射111

参考资料112