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第—章 半导体表面理论概念1

1.1 平带电压1

1.2 平衡时的表面势5

1.3 强反型时的表面电荷8

1.4 强反型时的阈值电压9

1.5 非平衡条件下的阈值电压12

1.6 非平衡强反型条件下的沟道电荷14

1.7 MOS电容14

1.8 硅表面电荷和表面态17

1.9 辐照效应21

1.10 硅氧化表面处的杂质再分布22

1.11 表面迁移率23

参考文献25

第二章 高载流子浓度下的半导体性质27

2.1 双极迁移率和扩散系数27

2.2 载流子-载流苯散射28

2.3 迁移率与杂质浓度的关系30

2.4 高注入时的载流子寿命31

2.5 载流子浓度使硅禁带宽度变窄的效应33

2.6 高掺杂时的本征载流子浓度37

参考文献39

第三章 雪崩击穿41

3.1 雪崩击穿电压的计算41

3.2 pin二极管的雪崩击穿43

3.3 平板型(一维)结的击穿44

3.4 平面型结的击穿48

3.5 雪崩击穿电压的温度关系52

参考文献53

第四章 雪崩击穿的改进方法54

4.1 场板54

4.2 扩散保护环61

4.3 等位环和沟道终止环62

4.4 电阻性场板62

4.5 场限制环67

4.6 结的斜削70

4.7 耗尽区腐蚀法80

4.8 衬底腐蚀终端法与正斜削法的比较85

4.9 用离子注入控制耗尽区电荷87

参考文献88

5.1 中子嬗变掺杂(NTD)90

第五章 选择的制造技术90

5.2 离子注入92

5.3 干式刻蚀95

5.4 少数载流子寿命的控制98

5.5 表面稳定性和器件钝化102

参考文献106

第六章 功率晶体管结构和双极型晶体管模型108

6.1 功率晶体管结构108

6.2 双极型晶体管模型113

参考文献130

第七章 高载流子浓度时的电流增益131

7.1 发射极效率和发射区浓度之间的关系131

7.2 大电流基区展宽141

7.3 发射极电流集中149

7.4 大电流时电流增益的下降157

7.5 电流增益的温度关系160

7.6 增益改进的方法162

参考文献172

第八章 功率晶体管的电流-电压特性174

8.1 饱和区174

8.2 准饱和区175

8.3 集电极-发射极击穿电压179

参考文献182

第九章 频率响应、开关瞬变、微波晶体管183

9.1 双极型功率晶体管的频率响应183

9.2 双极型功率晶体管的开关瞬变185

9.3 双极型微波晶体管190

参考文献193

第十章 晶体管热特性和不稳定性194

10.1 结温194

10.2 晶体管的等效热路196

10.3 热击穿197

10.4 最小熵产生原理、电流线的形成、热点199

10.5 二次击穿204

10.6 安全工作区(SOA)218

10.7 稳定的热点222

参考文献223

第十—章 结型场效应晶体管(JFET)225

11.1 结型场效应晶体管的电流-电压特性227

11.2 结型场效应晶体管的增量电路模型234

11.3 附加的栅极泄漏电流和漏极击穿236

11.4 结型场效应晶体管的输出功率238

11.5 具有类三极管(非饱和)特性的结型场效应晶体管238

11.6 结型场效应晶体管的结构243

参考文献250

第十二章 绝缘栅场效应晶体管252

12.1 MOS晶体管静态特性255

12.2 沟道中的二维电流流动261

12.3 短沟MOS晶体管的阈值电压262

12.4 对阈值电压的背面偏置效应264

12.5 MOS晶体管阈值的控制264

12.6 MOS晶体管的增量参数265

12.7 MOS晶体管增量电路模型273

12.8 截止频率fT275

12.9 具有类三极管特性的MOS晶体管277

12.10 MOS晶体管的电压击穿280

12.11 热电子效应288

参考文献289

第十三章 MOS功率晶体管的结构和设计思想291

13.1 MOS晶体管用作功率放大器291

13.2 MOS功率晶体管用作开关293

13.3 MOS功率晶体管的结构297

13.4 DMOS功率晶体管的设计思想307

13.5 具有漂移区的MOS晶体管的栅电容321

13.6 DMOS晶体管的电压击穿322

13.7 DMOS晶体管的二次击穿324

13.8 MOS晶体管特性的温度效应——安全工作区(SOA)326

参考文献330