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一次全扩散法制造工艺 600安培可控硅整流元件
  • 上海整流器厂编写 著
  • 出版社: 上海科学技术情报研究所
  • ISBN:
  • 出版时间:1971
  • 标注页数:47页
  • 文件大小:524MB
  • 文件页数:54页
  • 主题词:

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图书目录

目录1

序言1

一、一次全扩散法基本原理及其工艺分析1

1.一次全扩散法的基本原理1

(1)杂质源4

(2)扩散温度与时间的选择6

(3)扩散杂质源的量9

2.一次全扩散法提高元件特性的几个问题11

(1)元件的高温特性11

(2)元件的正向压降16

(3)元件的反向电压17

(4)氧化层对扩散结果的影响17

(5)软特性现象20

二、600安培可控硅一次全扩散法制造工艺22

1.元件的单晶硅材料和结构参数的选择22

2.工艺流程图23

4.氧化24

3.硅片清洁处理与腐蚀24

5.单面喷黑胶,去氧化层26

6.扩散27

7.烧结31

8.蒸发33

9.表面造型及其处理34

10.封装35

1.600安培平板压接式水冷可控硅外貌38

附:图表38

2.600安培平板压接式可控硅水冷散热器结构图39

3.杂质的最大固态溶解度40

4.杂质在硅中的固态溶解度41

5.硼、铝、镓、铟在硅中的扩散系数42

6.磷、砷、锑在硅中的扩散系数43

7.砷—硅相图44

8.砷—锑相图45

9.铝—硅相图46

10.铝—镍相图47

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