图书介绍
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- 杨崇志，康博南编著 著
- 出版社： 长春：吉林大学出版社
- ISBN：7560123953
- 出版时间：2000
- 标注页数：212页
- 文件大小：11MB
- 文件页数：222页
- 主题词：
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图书目录
第一章 逻辑代数基础1
1.1 基本逻辑关系及其电路1
1.1.1 “与”逻辑及其电路1
1.1.2 “或”逻辑及其电路2
1.1.3 “非”逻辑及其电路3
1.2 逻辑代数的基本定律4
1.2.1 基本逻辑运算4
1.2.2 逻辑代数的基本定律4
1.2.3 逻辑函数的建立6
1.3.1 用逻辑代数化简逻辑函数7
1.3 逻辑函数的化简7
1.3.2 用卡诺图化简逻辑函数8
第二章 触发器11
2.1 触发器的基本形式及类型11
2.1.1 触发器的基本形式11
2.1.2 触发器的类型13
2.2 维持－阻塞触发器及主－从触发器17
2.2.1 维持－阻塞触发器18
2.2.2 主－从触发器20
2.3 触发器的变换21
2.3.1 S-R触发器变换为D、T和J-K触发器22
2.3.2 D触发器变换成T和J-K触发器23
第三章 基本逻辑部件25
3.1 加法器25
3.1.1 半加器25
3.1.2 全加器26
3.2 译码器28
3.2.1 二进制码的译码器28
3.2.2 二－十进制码的译码器30
3.2.3 笔划译码器34
3.3 计数器35
3.3.1 行波计数器36
3.3.2 同步计数器40
3.4 移位寄存器44
3.4.1 寄存器44
3.4.2 移位寄存器45
第四章 TTL集成电路47
4.1 双极型逻辑集成电路工艺47
4.1.1 工艺流程47
4.1.2 埋层工艺的作用48
4.1.3 隔离工艺的作用49
4.2 集成电路内部的寄生效应49
4.2.1 集成电路中有源寄生效应49
4.2.2 结电容53
4.2.3 扩散电阻的分布电容54
4.3 五管单元TTL与非门电路56
4.3.1 电路工作原理56
4.3.2 电路各点电压及电流的计算57
4.3.3 静态电压传输特性59
4.3.4 静态参数60
4.3.5 瞬态特性63
4.4 六管单元TTL与非门电路73
4.4.1 六管单元TTL与非门结构、特性73
4.4.2 六管TTL与非门电路各电阻的选取74
4.5 抗饱和TTL与非门电路76
4.6 TTL门电路的扩展78
4.7 TTL与非门电路的温度特性80
4.7.1 TTL电路中各元件参数的温度特性81
4.7.2 TTL电路参数的温度特性82
4.8 TTL电路版图设计举例83
4.8.1 划分隔离区84
4.8.2 确定各元件的图形和尺寸84
4.8.3 画出布局草图88
4.8.4 绘制总图88
5.1.1 ECL电路工作原理91
5.1 发射极耦合逻辑（ECL）电路91
第五章 ECL和I2L电路91
5.1.2 ECL电路的逻辑扩展94
5.2 集成注入逻辑（I2L）电路96
5.2.1 I2L电路结构及工作原理96
5.2.2 I2L电路的逻辑组合和接口电路100
第六章 静态MOS倒相器106
6.1 电阻MOS及E/E MOS倒相器106
6.1.1 电阻MOS倒相器106
6.1.2 E/E MOS倒相器107
6.2.1 E/D MOS倒相器的倒相输出特性110
6.2 E/D MOS倒相器110
6.2.2 静态传输特性112
6.2.3 噪声容限114
6.2.4 瞬态特性114
6.3 CMOS倒相器116
6.3.1 CMOS倒相器的结构及工作原理117
6.3.2 直流传输特性117
6.3.3 直流噪声容限118
6.3.4 瞬态特性119
6.3.5 CMOS电路中的锁定效应119
7.1.1 与非门电路122
7.1 E/E MOS门电路122
第七章 静态MOS门电路122
7.1.2 或非门电路123
7.1.3 与门、或门电路123
7.2 E/D MOS门电路123
7.2.1 E/D MOS与非门、或非门电路123
7.2.2 输出驱动门124
7.3 CMOS门电路124
7.3.1 CMOS与非门、或非门工作原理124
7.3.2 CMOS与非门传输特性125
7.3.4 CMOS门电路的缓冲级126
7.3.3 CMOS门电路的开关时间126
7.3.5 HCMOS门电路127
7.4 CMOS传输门128
7.4.1 单MOS管传输门128
7.4.2 CMOS传输门129
第八章 MOS触发器131
8.1 E/E MOS触发器131
8.1.1 基本R-S触发器131
8.1.2 钟控R-S触发器132
8.2.1 主从R-S触发器133
8.2 E/D MOS触发器133
8.2.2 D触发器134
8.2.3 主从D触发器134
8.3 准静态MOS触发器135
8.3.1 准静态主从型E/E MOS D触发器135
8.3.2 两相时钟准静态E/E MOS D触发器136
8.3.3 准静态CMOS D触发器138
8.3.4 准静态CMOS J-K触发器139
第九章 动态MOS电路140
9.1 栅电容的电荷存储效应140
9.2.1 动态有比MOS倒相器141
9.2 动态MOS倒相器和基本门电路141
9.2.2 动态无比MOS倒相器142
9.2.3 动态MOS基本门电路144
9.3 动态MOS移位寄存器145
9.3.1 两相动态无比MOS移位寄存器145
9.3.2 动态CMOS移位寄存器147
第十章 MOS集成电路设计概述148
10.1 MOS电路器件设计与工艺设计148
10.1.1 器件设计简介148
10.1.2 工艺设计149
10.2 MOS集成电路版图设计中应考虑的问题153
10.3.1 λ设计法则160
10.3 MOS电路版图设计160
10.3.2 CMOS倒相器版图设计举例164
第十一章 半导体存储器165
11.1 静态随机存取存储器（SRAM）165
11.1.1 随机存取存储器的基本结构165
11.1.2 存储单元166
11.1.3 地址译码器168
11.2 动态随机存取存储器（DRAM）169
11.2.1 四管、三管动态存储单元169
11.2.2 单管存储单元170
11.3 只读存储器及可编程序逻辑阵列172
11.3.1 只读存储器172
11.3.2 可编程序逻辑阵列174
11.4 可编程只读存储器175
11.4.1 一次可编程只读存储器175
11.4.2 FAMOS结构的EPROM176
11.4.3 SIMOS结构的EPROM179
11.4.4 SIMOS结构的EAROM181
11.4.5 MNOS结构的EAROM182
12.1 按比例缩小原则184
12.1.1 按比例缩小原则概述184
第十二章 大规模集成电路设计方法简介184
12.1.2 短沟道效应及消除措施188
12.2 门阵列及其设计方法简介190
12.2.1 用户定制电路概述190
12.2.2 门阵列191
12.3 大规模集成电路中的CAD技术193
12.3.1 LSI电路的逻辑模拟和电路模拟193
12.3.2 LSI电路的工艺模拟194
12.3.3 计算机辅助版图设计195
12.4 大规模集成电路设计发展概况195
12.4.1 电子设计自动化（EDA）的进展195
12.4.2 深亚微米级设计中应注意的问题198
第十三章 几种新型场效应集成电路简介201
13.1 电荷耦合（CCD）器件201
13.1.1 CCD的基本工作原理201
13.1.2 CCD的基本参数205
13.1.3 CCD器件性能改进205
13.2 TFT结构FET集成电路206
13.2.1 TFT结构206
13.2.2 TFT特性208
13.2.3 TFT有源矩阵驱动LCD工作原理208
13.3 BICMOS集成电路简介209
参考文献212