图书介绍
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- 唐天同编著 著
- 出版社: 北京:电子工业出版社
- ISBN:9787121110184
- 出版时间:2010
- 标注页数:525页
- 文件大小:72MB
- 文件页数:536页
- 主题词:纳米材料-新技术应用
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图书目录
第1章 绪论1
1.1 微纳加工技术的意义1
1.2 微电子和光电子工程与微纳加工技术的关系2
1.3 平面工艺5
1.4 本书内容6
1.5 微细结构的其他应用领域9
1.6 未来纳米结构和纳米加工13
参考文献14
第2章 光子、电子、离子和等离子体16
2.1 光波与光子16
2.1.1 微纳加工技术中的光源18
2.1.2 几何光学的聚焦成像概念22
2.1.3 光的衍射和聚焦成像分辨率的衍射限制26
2.1.4 光学成像的波动理论30
2.2 极紫外射线与X射线35
2.2.1 极紫外射线与X射线的产生36
2.2.2 极紫外线与X射线的控制45
2.3 自由电子与电子束49
2.3.1 电子发射49
2.3.2 电子光学和电子束系统52
2.3.3 电子枪65
2.4 气体放电与等离子体68
2.4.1 气体的电击穿68
2.4.2 气体放电69
2.4.3 等离子体73
2.4.4 等离子体的电学性质76
2.4.5 等离子体的化学作用80
2.5 离子与离子源82
2.5.1 概述82
2.5.2 表面(热)电离离子源82
2.5.3 场离子源83
2.5.4 等离子体离子源86
2.6 光子、电子及离子与物质的作用91
2.6.1 光子的作用92
2.6.2 X射线与极紫外线光子的作用99
2.6.3 电子的作用101
2.6.4 离子相互作用108
2.7 真空物理与技术概要113
2.7.1 真空与低压气体的分子运动及气体流动113
2.7.2 真空室内的吸气与放气过程116
2.7.3 获得低压与真空的抽气技术118
2.7.4 低压强与真空度的测量技术131
参考文献138
第3章 微电子与光电子集成技术中常用的衬底与薄膜材料141
3.1 晶体结构与性质142
3.1.1 晶体的几何结构142
3.1.2 晶体的电学性质146
3.1.3 晶体的光学性质155
3.2 半导体材料159
3.2.1 元素半导体159
3.2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体165
3.2.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体172
3.2.4 Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体176
3.3 介电材料179
3.3.1 电介质材料179
3.3.2 无源光电子材料181
3.4 玻璃和聚合物189
3.4.1 基本概念和术语189
3.4.2 玻璃190
3.4.3 聚合物197
3.5 特殊微细结构及其有关材料198
3.5.1 半导体超晶格结构198
3.5.2 量子阱、量子线和量子点201
3.5.3 碳纳米管及其薄膜203
3.5.4 光子与声子晶体206
参考文献207
第4章 微细图形技术210
4.1 前言210
4.2 光学光刻212
4.2.1 接触式和接近式曝光光刻212
4.2.2 投射式光刻214
4.2.3 先进光学光刻技术和其他改进分辨率的方法224
4.3 抗蚀胶239
4.3.1 抗蚀胶曝光与显影的原理及类型239
4.3.2 (曝光)对比度曲线243
4.3.3 涂敷和显影工艺244
4.3.4 抗蚀胶的化学放大和对比度增强技术245
4.4 X射线光刻技术246
4.4.1 概述246
4.4.2 接近式X射线光刻系统及X射线光刻掩模板247
4.4.3 投射式X射线光刻250
4.5 极紫外线光刻252
4.6 电子束光刻系统254
4.6.1 概述254
4.6.2 扫描电子束曝光系统255
4.6.3 投射式电子束曝光光刻系统266
4.6.4 电子束光刻的抗蚀胶269
4.7 离子束光刻系统270
4.8 纳米压印技术273
4.9 LIGA制造技术274
参考文献276
第5章 蚀刻技术280
5.1 引言280
5.2 湿法(化学)蚀刻282
5.3 等离子体溅射蚀刻287
5.4 离子束蚀刻和离子铣292
5.5 基于化学作用的等离子体蚀刻294
5.6 光刻—蚀刻后的去胶302
5.7 激光蚀刻304
参考文献310
第6章 淀积312
6.1 蒸发淀积312
6.1.1 蒸发、升华和凝结312
6.1.2 真空蒸发淀积及蒸发淀积装置315
6.1.3 多组分薄膜的淀积318
6.2 溅射淀积319
6.2.1 阴极溅射319
6.2.2 溅射淀积过程和淀积速率319
6.2.3 溅射淀积设备321
6.2.4 离子束溅射淀积324
6.2.5 离子束直接淀积326
6.2.6 离子镀327
6.2.7 反应(离子束)溅射淀积328
6.2.8 剥离法329
6.3 化学气相淀积330
6.3.1 概述330
6.3.2 化学气相淀积的原理330
6.3.3 化学气相淀积装置332
6.4 等离子体、光和电子束增强化学气相淀积333
6.4.1 等离子体增强化学气相淀积333
6.4.2 光(增强)化学气相淀积335
6.4.3 电子束感应化学气相淀积335
6.5 其他薄膜成膜技术336
6.5.1 电化学淀积336
6.5.2 脉冲激光淀积法337
6.5.3 溶胶-凝胶法339
6.5.4 自组装法352
6.6 薄膜厚度的测量方法359
6.6.1 薄膜厚度的光学测量方法359
6.6.2 薄膜厚度的电学测量方法363
6.6.3 薄膜厚度的机械测量方法364
参考文献367
第7章 外延生长369
7.1 概述369
7.1.1 外延生长369
7.1.2 外延生长的过程371
7.1.3 外延生长层的结构形式376
7.1.4 液相外延生长379
7.2 分子束外延380
7.2.1 概述380
7.2.2 分子束外延生长的薄膜381
7.2.3 分子束外延设备383
7.2.4 离化团粒束外延生长389
7.3 金属有机化合物气相外延生长391
7.3.1 概述391
7.3.2 选择式金属有机化合物气相外延晶体生长技术393
7.4 激光化学气相外延生长396
参考文献397
第8章 微纳加工中的特殊工艺过程399
8.1 氧化399
8.1.1 概述399
8.1.2 硅的热氧化过程及氧化层的性质400
8.1.3 热氧化设备404
8.1.4 等离子体氧化405
8.2 扩散406
8.2.1 概述406
8.2.2 扩散方程407
8.2.3 固相扩散的物理模型408
8.2.4 扩散方程的解析解409
8.2.5 场增强扩散411
8.2.6 扩散设备412
8.2.7 杂质的密度和分布的分析413
8.2.8 离子交换与质子交换416
8.3 离子注入掺杂418
8.3.1 概述418
8.3.2 离子注入设备419
8.3.3 离子注入过程421
8.3.4 离子注入的沟道效应424
8.3.5 离子注入的辐射损伤426
8.3.6 退火428
8.3.7 激光束与电子束退火429
8.4 化学机械研磨平坦化技术430
参考文献433
第9章 微细结构的微分析和表征434
9.1 光学及激光方法434
9.1.1 光学显微镜434
9.1.2 激光扫描共焦显微镜436
9.1.3 基于干涉计量的激光测量仪器438
9.1.4 激光扫描故障检测系统440
9.2 电子显微镜和微分析方法443
9.2.1 概述443
9.2.2 透射电子显微镜444
9.2.3 扫描电子显微镜463
9.2.4 表面电子束点阵结构分析方法479
9.3 声学方法482
9.3.1 概述482
9.3.2 扫描声学显微镜482
9.3.3 扫描电子声学显微镜483
9.4 扫描探针显微镜484
9.4.1 扫描隧道显微镜485
9.4.2 原子力显微镜494
9.4.3 扫描近场光学显微镜498
9.4.4 扫描弹道电子发射显微镜501
参考文献504
附录506
附录A 缩略语表506
附录B 部分专业术语中英文对照表508
附录C 基本物理常数510
附录D 几种常用单位的换算510
附录E 主要符号表511
附录F 金属元素的蒸气压和蒸发速率512
附录G 化合物的蒸气压、熔点和蒸气成分515
附录H 32种点群的平衡态性质矩阵521