图书介绍
绝缘体上硅（SOI）技术 制造及应用PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 奥列格·库侬楚克，阮碧艳 著
- 出版社： 北京：国防工业出版社
- ISBN：9787118116366
- 出版时间：2018
- 标注页数：386页
- 文件大小：42MB
- 文件页数：400页
- 主题词：绝缘体上硅薄膜
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图书目录
第一部分 绝缘体上硅材料及制造3
第1章 绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术3
1.1 引言3
1.2 SOI的晶圆片制造技术概述4
1.3 SOI量产制造技术5
1.4 SOI晶圆片结构及表征9
1.5 晶圆片直接键合：湿表面清洗技术13
1.6 直接键合机理的表征16
1.7 Si和SiO2直接键合的其他表面制备工艺23
1.8 利用离子注入、键合及剥离量产SOI衬底的智能剥离技术27
1.9 更复杂的SOI结构制造31
1.10 异质结构的制造32
1.11 结论39
1.12 致谢40
1.13 参考文献40
第2章 先进的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征45
2.1 引言45
2.2 常用的表征技术45
2.3 利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征SOI晶圆片46
2.4 赝-MOSFET技术的发展49
2.5 FD MOSFET的常用表征方法51
2.6 先进的FD MOSFET表征方法52
2.7 超薄SOI MOSFET的表征55
2.8 多栅MOSFET的表征58
2.9 纳米线FET的表征60
2.10 结论62
2.11 致谢62
2.12 参考文献63
第3章 短沟FDSOI MOSFET特性的建模66
3.1 引言66
3.2 SOI MOSFET建模的发展67
3.3 SOI MOSFET的二维紧凑电容模型68
3.4 SOI MOSFET的二维解析模型74
3.5 双栅及其他类型SOI MOSFET结构的建模82
3.6 参考文献83
第4章 部分耗尽绝缘体上硅技术：电路解决方案85
4.1 引言85
4.2 PDSOI技术与器件86
4.3 电路解决方案：数字电路89
4.4 电路解决方案：静态随机存储器电路91
4.5 SRAM容限：PDSOI的例子96
4.6 结论99
4.7 参考文献100
第5章 平面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术104
5.1 引言104
5.2 平面FDSOI技术105
5.3 FDSOI的阈值调节：沟道掺杂、栅堆叠工程和接地平面106
5.4 FDSOI CMOS器件对衬底的要求：BOX和沟道的厚度114
5.5 FDSOI的应变选项120
5.6 背偏置对特性的影响130
5.7 结论133
5.8 致谢134
5.9 参考文献134
第6章 绝缘体上硅无结晶体管141
6.1 引言141
6.2 器件物理142
6.3 无结晶体管的模型150
6.4 同三栅场效应晶体管的性能比较152
6.5 超越经典的SOI纳米线结构154
6.6 结论157
6.7 致谢157
6.8 参考文献158
第7章 SOI FinFET164
7.1 引言164
7.2 SOI FinFET的性能166
7.3 SOI FinFET衬底的优化170
7.4 FinFET的工艺及统计波动性171
7.5 结论174
7.6 参考文献175
第8章 利用SOI技术制造CMOS的参数波动性178
8.1 引言178
8.2 平面FDSOI器件的统计参数波动182
8.3 可靠性的统计问题191
8.4 SOI FinFET197
8.5 结论197
8.6 参考文献198
第9章 SOI CMOS集成电路的ESD保护205
9.1 引言205
9.2 SOI器件的ESD表征：SOI晶体管207
9.3 SOI器件中的ESD表征：SOI二极管212
9.4 SOI器件的ESD表征：FinFET及Fin二极管215
9.5 SOI器件的ESD表征：FDSOI器件221
9.6 SOI器件中ESD网络的优化222
9.7 结论227
9.8 参考文献227
第二部分 SOI器件及应用233
第10章 射频及模拟应用的SOI MOSFET233
10.1 引言233
10.2 目前的射频器件性能234
10.3 MOSFET性能的限制因素235
10.4 肖特基势垒MOSFET238
10.5 超薄体超薄埋氧化层MOSFET242
10.6 多栅MOSFET的射频特性：FinFET246
10.7 SOI技术中的高电阻率硅衬底250
10.8 结论259
10.9 致谢259
10.10 参考文献260
第11章 超低功耗应用的SOI CMOS电路269
11.1 引言269
11.2 CMOS电路功耗的最小化271
11.3 降低Vdd改善CMOS电路能量效率的问题275
11.4 利用减小波动及适应性偏压控制发展SOI器件279
11.5 参数波动的建模281
11.6 超低电压工作的器件设计282
11.7 FDSOI器件参数波动性的评估285
11.8 FDSOI器件可靠性的评估288
11.9 FDSOI器件的电路设计289
11.10 结论296
11.11 致谢296
11.12 参考文献296
第12章 改善性能的3D SOI集成电路304
12.1 引言304
12.2 利用Cu-Cu键合的3D IC：工艺流程307
12.3 利用Cu-Cu键合实现3D集成：面对面的硅层堆叠309
12.4 利用Cu-Cu键合实现3D集成：背面对正面的硅层堆叠316
12.5 利用氧化硅键合的3D集成：MIT林肯实验室的表面向下堆叠技术323
12.6 利用氧化硅键合的3D集成：IBM的“面朝上”堆叠技术325
12.7 利用氧化硅键合实现3D集成：3D后续工艺325
12.8 先进的键合技术：Cu-Cu键合326
12.9 先进键合技术：介质键合328
12.10 结论332
12.11 致谢332
12.12 参考文献333
第13章 光子集成电路的SOI技术336
13.1 引言336
13.2 绝缘体上硅光子学339
13.3 SOI光学模块347
13.4 器件容差与补偿技术352
13.5 用于硅光子器件的先进堆叠结构357
13.6 硅光子器件的应用361
13.7 结论362
13.8 参考文献362
第14章 用于MEMS和NEMS传感器的SOI技术370
14.1 引言370
14.2 SOI MEMS/NEMS器件结构和工作原理372
14.3 SOI MEMS/NEMS设计374
14.4 SOI MEMS/NEMS工艺技术375
14.5 SOI MEMS/NEMS制备382
14.6 结论384
14.7 参考文献384