图书介绍
半导体材料 第3版PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 杨树人，王宗昌，王兢主编著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030365033
- 出版时间：2013
- 标注页数：240页
- 文件大小：84MB
- 文件页数：248页
- 主题词：半导体材料-高等学校-教材
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图书目录
绪论1
第1章 硅和锗的化学制备4
1-1 硅和锗的物理化学性质4
1-2 高纯硅的制备6
1-3 锗的富集与提纯13
第2章 区熔提纯16
2-1 分凝现象与分凝系数16
2-2 区熔原理20
2-3 锗的区熔提纯28
第3章 晶体生长30
3-1 晶体生长理论基础30
3-2 熔体的晶体生长46
3-3 硅、锗单晶生长52
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷59
4-1 硅、锗晶体中杂质的性质59
4-2 硅、锗晶体的掺杂62
4-3 硅、锗单晶的位错78
4-4 硅单晶中的微缺陷84
第5章 硅外延生长87
5-1 外延生长概述87
5-2 硅衬底制备89
5-3 硅的气相外延生长93
5-4 硅外延层电阻率的控制104
5-5 硅外延层的缺陷109
5-6 硅的异质外延113
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体118
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性118
6-2 砷化镓单晶的生长方法124
6-3 砷化镓单晶中杂质的控制131
6-4 砷化镓单晶的完整性135
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备137
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长141
7-1 气相外延生长（VPE）141
7-2 金属有机物气相外延生长（MOVPE）144
7-3 液相外延生长（LPE）152
7-4 分子束外延生长（MBE）158
7-5 化学束外延生长（CBE）162
7-6 其他外延生长技术164
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体170
8-1 异质结与晶格失配171
8-2 GaAlAs外延生长172
8-3 InGaN外延生长176
8-4 InGaAsP外延生长177
8-5 超晶格与量子阱182
8-6 应变超晶格188
8-7 能带工程189
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体192
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备192
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象198
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料201
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料205
第10章 低维结构半导体材料207
10-1 低维结构半导体材料的基本特性207
10-2 低维结构半导体材料的制备208
10-3 低维结构半导体材料的现状及未来212
第11章 氧化物半导体材料214
11-1 氧化物半导体材料的制备214
11-2 氧化物半导体材料的电学性质217
11-3 氧化物半导体材料的应用220
第12章 照明半导体材料225
12-1 LED的基本结构226
12-2 外延生长GaN衬底材料的选择226
12-3 外延生长的发展趋势228
12-4 外延片结构改进230
第13章 其他半导体材料233
13-1 窄带隙半导体233
13-2 黄铜矿型半导体235
13-3 非晶态半导体材料236
13-4 有机半导体材料237
参考文献240