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第1章 线性稳压器的介绍2

1.1 基本线性稳压器的操作2

1.2 一般线性稳压器的注意事项3

1.3 线性电源设计实例5

1.3.1 基本离散线性稳压器设计5

1.3.2 基本的三端稳压器的设计6

1.3.3 悬浮式线性稳压器8

第2章 基本开关线路12

2.1 储能基础12

2.2 降压转换器12

2.3 升压转换器14

2.4 反向升压转换器16

2.5 降压-升压转换器16

2.6 变压器隔离转换器17

2.7 同步整流20

2.8 电荷泵21

第3章 DC-DC转换器的设计与磁性26

3.1 直流传输特性26

3.2 直流分量和电感电流波形的摆幅26

3.3 交流、直流和峰值电流的定义29

3.4 交流、直流和峰值电流的理解30

3.5 最坏情况输入电压值的定义32

3.6 纹波电流比r34

3.7 关于r值与电感感性的关系35

3.8 r的最佳值36

3.9 电感还是电感值37

3.10 电感感值和尺寸是怎样依赖于频率的38

3.11 电感感值和尺寸与负载电流的关系38

3.12 厂商是怎样规定现有电感的额定功率以及怎样选型39

3.13 对于指定的应用，需要考虑的电感额定电流是什么40

3.14 电流限制的外延和容限42

3.15 样例（1）45

3.15.1 在r值设定上的电流限制的考虑46

3.15.2 在固定r值下连续导通模式的考虑47

3.15.3 当采用低ESR电容时r值设定高于0.449

3.15.4 设置r值以避免元件“怪癖”49

3.15.5 设置r值以避免次谐波振荡51

3.15.6 “L×I”和“负载调节”法则下的电感快速选型54

3.16 样例（2、3和4）55

3.16.1 强制连续导通模式（FCCM）中的纹波电流比r56

3.16.2 磁的基本定义57

3.17 样例（5）——什么时候不要增加匝数58

3.17.1 场纹波比60

3.17.2 伏秒形式的电压依赖性方程（MKS单位）60

3.17.3 CGS单位60

3.17.4 伏秒形式的电压依赖性方程（CGS单位）61

3.17.5 磁芯损耗61

3.18 样例（6）——在具体应用中选择现有的电感62

3.18.1 估计需求63

3.18.2 纹波电流比64

3.18.3 峰值电流65

3.18.4 磁通密度65

3.18.5 铜损耗66

3.18.6 磁芯损耗67

3.18.7 温升67

3.19 其余最坏情况下的应力计算68

3.19.1 最坏情况下的磁芯损耗68

3.19.2 最坏情形下的二极管功耗69

3.19.3 最坏情形下的开关功耗70

3.19.4 最坏情形下的输出电容功耗71

3.19.5 最坏情形下的输入电容功耗72

第4章 控制线路75

4.1 基本的控制线路75

4.2 误差放大器77

4.3 误差放大器的补偿78

4.4 典型的电压模式PWM控制器81

4.5 电流模式控制85

4.6 典型的电流模式PWM控制器86

4.7 电荷泵电路89

4.8 多相位PWM控制器91

4.9 谐振模式控制器92

第5章 非隔离电路94

5.1 一般的设计方法94

5.2 降压转换器的设计94

5.3 升压转换器的设计101

5.4 反相设计106

5.5 升压-降压设计109

5.6 电荷泵设计112

5.7 布局布线的考虑116

第6章 变压器隔离电路119

6.1 反馈机制119

6.2 反激电路126

6.3 实用的反激电路设计131

6.4 离线反激电路的实例131

6.5 非隔离反激线路的实例137

6.6 正激转换器电路140

6.7 实用的正激转换器的设计141

6.8 离线正激转换器的实例142

6.9 非隔离正激转换器的实例145

6.10 推挽式电路148

6.11 实用的推挽式电路设计150

6.12 半桥式电路153

6.13 实用的半桥式电路设计155

6.14 全桥式电路158

第7章 功率半导体160

7.1 导言160

7.2 功率二极管及晶闸管161

7.2.1 功率二极管161

7.2.2 晶闸管170

7.3 栅极关断晶闸管175

7.4 双极型功率晶体管177

7.4.1 作为开关的双极型晶体管177

7.4.2 感性负载开关178

7.4.3 安全工作区和V-I特性179

7.4.4 达林顿晶体管183

7.5 功率MOSFET管184

7.5.1 简介184

7.5.2 一般特性184

7.5.3 MOSFET管的结构和导通阻抗185

7.5.4 V-I特性186

7.5.5 栅极驱动的考量187

7.5.6 温度特性188

7.5.7 安全工作区189

7.5.8 实用元件190

7.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）194

7.7 MOS控制晶闸管（MCT）195

第8章 传导和开关损耗199

8.1 切换阻性负载199

8.2 切换感性负载203

8.3 开关损耗及传导损耗205

8.4 研究感应开关损耗的MOSFET简化模型206

8.5 备用系统中的寄生电容208

8.6 栅极阈值电压209

8.7 导通转换过程209

8.8 关断转换过程213

8.9 栅极电荷因子217

8.10 样例219

8.10.1 导通切换219

8.10.2 关断切换220

8.11 开关损耗分析应用于开关拓扑221

8.12 最坏情形时开关损耗的输入电压222

8.13 开关损耗会怎样随寄生电容而变化223

8.14 根据MOSFET特性来优化驱动能力224

第9章 功率因子校正231

9.1 如何指定功率因子与谐波231

9.2 通用输入、180 W、主动型功率因子校正电路233

9.2.1 设计规格233

9.2.2 设计前的考虑233

9.2.3 电感设计234

9.2.4 变压器结构236

9.2.5 启动线路设计236

9.2.6 电压倍增器输入电路设计237

9.2.7 电流检测电路设计237

9.2.8 电压反馈电路设计238

9.2.9 输入EMI滤波器设计238

9.2.10 印制电路板的考虑239

第10章 离线转换器的设计与磁性241

10.1 反激转换器的磁性241

10.1.1 变压器的线圈极性241

10.1.2 反激拓扑中变压器的行为及其占空比243

10.1.3 等效的降压-升压模型246

10.1.4 反激拓扑的纹波电流比248

10.1.5 泄漏电感248

10.1.6 齐纳箝位功耗249

10.1.7 次级线圈侧泄漏电感也会影响初级线圈侧249

10.1.8 测量有效的初级线圈侧的泄漏电感250

10.1.9 样例——设计反激变压器251

10.1.10 选择线径和铜箔厚度257

10.2 正向转换器的磁性260

10.2.1 占空比260

10.2.2 最坏情形下的输入电压端263

10.2.3 窗口的利用率264

10.2.4 磁芯尺寸及其功率吞吐量265

10.2.5 样例——设计正向变压器266

第11章 “真正正弦波”逆变器设计实例282

11.1 设计要求282

11.2 设计描述283

11.3 预调节器的具体设计287

11.4 输出转换器的具体设计291

11.5 H桥的具体设计293

11.6 桥驱动的具体设计296

第12章 热分析与设计300

12.1 散热建模300

12.2 散热器上的功率封装（TO-3、TO-220、TO-218等）301

12.3 不在散热器上的功率封装（独立式的）302

12.4 径向引线二极管303

12.5 表面贴装零件304

12.6 一些散热应用的实例306

12.6.1 确定应用中的最小散热器（或者最大允许热阻）306

12.6.2 确定在最大指定环温且没有散热器下通过三端稳压器耗散的最大功率307

12.6.3 在已知导线温度的前提下确定整流器的结点温度307

参考文献309