图书介绍
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- 刘恩科；朱秉升 著
- 出版社： 上海：上海科学技术出版社
- ISBN：15119·2331
- 出版时间：1984
- 标注页数：292页
- 文件大小：16MB
- 文件页数：299页
- 主题词：
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图书目录
目录1
出版说明1
前言1
主要参数符号表1
第1章 半导体中的电子状态1
§1-1 半导体中的电子状态和能带1
§1-2 半导体中电子的运动 有效质量8
§1-3 本征半导体的导电机构 空穴11
§1-4 回旋共振13
§1-5 硅和锗的能带结构16
§1-6 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构21
习题23
参考资料24
第2章 半导体中杂质和缺陷能级25
§2-1 硅、锗晶体中的杂质能级25
§2-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级32
§2-3 缺陷 位错能级36
参考资料39
第3章 半导体中载流子的统计分布40
§3-1 状态密度40
§3-2 费米能级和载流子的统计分布43
§3-3 本征半导体的载流子浓度48
§3-4 杂质半导体的载流子浓度51
＊§3-5 一般情况下的载流子统计分布59
§3-6 简并半导体62
＊补充材料 电子占据杂质能级的几率66
习题68
参考资料69
第4章 半导体的导电性71
§4-1 载流子的漂移运动 迁移率71
§4-2 载流子的散射73
§4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系80
§4-4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系85
＊§4-5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论86
§4-6 强电场下的效应 热载流子90
＊§4-7 多能谷散射 耿氏效应95
习题98
参考资料99
§5-1 非平衡载流子的注入与复合100
第5章 非平衡载流子100
§5-2 非平衡载流子的寿命101
§5-3 准费米能级103
§5-4 复合理论104
＊§5-5 陷阱效应113
§5-6 载流子的扩散运动114
§5-7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式118
§5-8 连续性方程式120
习题124
参考资料125
第6章 p-n结126
§6-1 p-n结及其能带图126
§6-2 p-n结电流电压特性131
§6-3 p-n结电容141
§6-4 p-n结击穿149
§6-5 p-n结隧道效应152
习题154
参考资料155
第7章 金属和半导体的接触156
§7-1 金属半导体接触及其能级图156
＊§7-2 金属半导体接触整流理论160
§7-3 少数载流子的注入和欧姆接触166
习题168
参考资料169
第8章 半导体表面理论170
＊§8-1 表面态170
§8-2 表面电场效应172
§8-3 MIS结构的电容-电压特性179
§8-4 硅-二氧化硅系统的性质185
＊§8-5 表面电导及迁移率191
§8-6 表面电场对p-n结特性的影响192
习题197
参考资料198
第9章 异质结199
§9-1 异质结及其能带图199
§9-2 异质结的电流输运机构208
§9-3 异质结在器件中的应用215
参考资料217
第10章 半导体的光学性质和光电效应218
§10-1 半导体的光学常数218
§10-2 半导体的光吸收221
§10-3 半导体的光电导228
§10-4 半导体的光生伏特效应234
§10-5 半导体发光236
§10-6 半导体激光241
习题247
参考资料248
第11章 半导体的热电性质249
§11-1 热电效应的一般描述249
§11-2 半导体的温差电动势率252
§11-3 半导体的珀耳帖效应257
§11-4 半导体的汤姆孙效应258
§11-5 半导体的热导率258
§11-6 半导体热电效应的应用261
参考资料262
习题262
第12章 半导体磁电和压阻效应263
§12-1 霍耳效应263
§12-2 磁阻效应268
§12-3 热磁效应272
§12-4 光磁电效应274
§12-5 压阻效应277
习题284
参考资料285
附录287
附录1 常用物理常数和能量表达变换表287
附录2 半导体材料物理性质表287
参考资料292