图书介绍
阻变存储器 器件、材料、机理、可靠性及电路PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 林殷茵，宋雅丽，薛晓勇著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：9787030414991
- 出版时间：2014
- 标注页数：121页
- 文件大小：15MB
- 文件页数：130页
- 主题词：存贮器－研究
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阻变存储器 器件、材料、机理、可靠性及电路PDF格式电子书版下载
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图书目录
第1章 RRAM概述1
参考文献5
第2章 2D RRAM的存储单元结构9
2.1 1T1R单元9
2.1.1 单元结构9
2.1.2 单极和双极操作12
2.2 采用二极管作为选通器件的单元15
2.2.1 单极操作的1D1R单元15
2.2.2 采用双向二极管作为选通器件的RRAM单元16
2.3 自整流RRAM单元21
2.3.1 混合型RRAM存储单元21
2.3.2 互补型RRAM器件23
参考文献25
第3章 RRAM的阻变机理29
3.1 导电细丝的类型及其相应的阻变过程30
3.1.1 金属导电丝型RRAM31
3.1.2 氧空位导电丝RRAM34
3.2 RRAM的FORMING过程39
3.3 导电细丝的微缩化及其对性能的影响41
参考文献44
第4章 影响RRAM读写性能的主要因素和优化方法49
4.1 降低RESET电流的方法49
4.1.1 构建多层结构51
4.1.2 通过控制限流降低功耗52
4.2 操作算法提高RRAM读写特性55
4.2.1 自适应写操作算法提高写成功率和Roff/Ron窗口55
4.2.2 操作算法提高参数一致性56
4.3 工艺方法提高读写参数一致性59
4.3.1 电极效应59
4.3.2 插入缓冲层和构建双层结构60
4.3.3 嵌入金属来控制导电通路61
参考文献63
第5章 RRAM的可靠性66
5.1 保持特性当前的测试方法66
5.2 保持特性的模型和改善方法67
5.2.1 RRAM保持特性失效模型67
5.2.2 通过形成高密度的氧空位CF改善保持特性68
5.2.3 通过动态自适应写操作算法改善保持特性70
5.3 耐久性模型和改善方法72
5.3.1 耐久性失效模型72
5.3.2 高耐久性的器件结构75
5.3.3 通过编程算法提高耐久性77
参考文献79
第6章 提高RRAM读写速度及带宽的电路技术81
6.1 提高读速度的电路技术81
6.1.1 基于反馈调节的位线偏压方案81
6.1.2 PTADB方案82
6.2 提高读带宽的电路技术83
6.2.1 片上所有SA同时工作84
6.2.2 交替页访问并结合DDR接口输出84
6.3 加快写速度及带宽的电路技术86
参考文献87
第7章 提高RRAM读写良率和可靠性的电路技术88
7.1 提高读良率的电路技术88
7.1.1 PSRC方案88
7.1.2 SARM方案89
7.1.3 BDD-CSA方案90
7.1.4 TABB方案91
7.1.5 SSC-CSA方案93
7.2 提高写良率降低写功耗的电路技术95
7.2.1 自适应写模式96
7.2.2 带反馈的自定时写方案97
7.3 提高耐久性和保持特性的电路技术98
7.3.1 两步FORMING方案98
7.3.2 阻值验证写方案100
7.3.3 动态自适应写方法100
参考文献102
第8章 3D RRAM集成及电路技术104
8.1 传统交叉点架构的漏电通路及功耗问题105
8.2 基于1TXR的3D RRAM106
8.2.1 1TXR单元及阵列架构106
8.2.2 克服写干扰的编程算法107
8.2.3 克服读干扰的措施110
8.3 基于1D1R单元的3D RRAM111
8.3.1 阵列架构111
8.3.2 可以补偿漏电流来精确检测阻态变化的写电路技术112
8.3.3 采用位线电容隔离来加快SA翻转的读电路113
8.4 采用双向二极管作为选通器件的3D RRAM113
8.4.1 阵列架构114
8.4.2 1BD1R阵列的编程条件114
8.4.3 采用冗余单元的多位写架构116
8.5 具有较低光刻成本的竖直3D堆叠方式116
8.5.1 单元和阵列的截面图117
8.5.2 光刻方面的成本优势119
参考文献121