图书介绍

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半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究
  • 周庆涛著 著
  • 出版社: 合肥:合肥工业大学出版社
  • ISBN:9787565004865
  • 出版时间:2012
  • 标注页数:120页
  • 文件大小:10MB
  • 文件页数:138页
  • 主题词:半导体材料-纳米材料-研究

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图书目录

第1章 绪论1

1. 1引言1

1. 2纳米材料的内涵与性质3

1. 2. 1纳米材料的概念3

1.2.2纳米材料的特性3

1. 3一维纳米材料的研究进展和发展趋势8

1. 3. 1一维纳米材料的合成制备8

1.3.2一维纳米材料制备的发展趋势19

1.3.3一维纳米材料物性研究进展22

1. 4本文选题背景与研究内容25

第2章 氧化硅纳米线阵列的合成及其发光性能研究34

2. 1引言34

2. 2实验装置和制备方法35

2. 3 SiO纳米线阵列的制备、表征及发光性能研究36

2. 3. 1实验过程和测试36

2.3.2实验结果与讨论37

2. 4本章小结43

第3章 三维球形CdS纳米锥阵列的合成及其结构和发光性能研究46

3. 1引言46

3. 2实验过程与表征49

3. 2. 1三维球状CDS纳米锥阵列的制备过程49

3.2.2三维球状CdS纳米锥阵列的表征与测试49

3. 3实验结果与分析49

3. 3. 1三维CdS纳米锥球形阵列的形貌49

3. 3. 2三维CdS纳米锥球形阵列的结构与成分51

3. 3. 3三维CdS纳米锥球形阵列的生长机制55

3. 3. 4三维CdS纳米锥球形阵列的发光特性57

3. 4本章小结59

第4章 铜及其合金衬底上生长二元氮化物纳米线有序结构65

4. 1引言65

4.2铜和铜-铟合金衬底上生长GaN微米/纳米锥束66

4.2.1引言66

4. 2. 2实验过程与表征66

4. 2. 3实验结果和分析68

4. 3铜衬底上生长有序GaN纳米线74

4. 3. 1实验过程74

4.3.2实验结果与讨论75

4. 4铜衬底上定位生长有序InN纳米棒阵列76

4. 4. 1实验过程76

4. 4. 2实验结果与分析77

4. 5本章小结78

第5章Ga催化生长三元合金Si-ZnS纳米线及其发光性质82

5.1引言82

5. 2实验过程和测试83

5. 2. 1三元Si - ZnS纳米线的制备过程83

5.2.2三元Si - ZnS纳米线的表征测试84

5. 3实验结果与分析84

5. 3. 1三元合金Si - ZnS纳米线的形貌84

5. 3. 2三元合金Si-ZnS纳米线的结构与成分85

5. 3. 3三元合金Si - ZnS纳米线的微观结构与成分86

5. 3. 4三元合金Si-ZnS纳米线的生长机制88

5.3.5三元合金Si-ZnS纳米线的发光性能90

5. 4本章小结91

第6章 芯-壳异质纳米线的制备、表征和生长机理研究95

6. 1引言95

6. 2 Cu-Si()2芯-壳纳米线96

6. 2. 1引言96

6. 2. 2实验过程与测试97

6.2.3实验结果与分析98

6.2.4 Cu-Si()2纳米电缆的生长机制103

6. 3 ZnS-CuS芯-壳纳米线104

6. 3. 1引言104

6. 3. 2实验过程与测试105

6. 3. 3实验结果与分析105

6. 3. 4 ZnS-CuS芯-壳纳米线的生长机制108

6. 4本章小结109

第7章 总结与展望114

7. 1本文主要研究内容114

7. 2展望116

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