图书介绍
等离子体浸泡式离子注入与沉积技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 汤宝寅，王浪平编著 著
- 出版社： 北京：国防工业出版社
- ISBN：9787118078923
- 出版时间：2012
- 标注页数：239页
- 文件大小：103MB
- 文件页数：258页
- 主题词：工程材料－表面改性
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图书目录
第1章 绪论1
1.1离子注入技术1
1.1.1离子注入技术的发展2
1.1.2束线离子注入（IBII）的局限性3
1.2等离子体浸泡式离子注入技术3
1.2.1等离子体浸泡式离子注入技术原理3
1.2.2等离子体浸泡式离子注入技术与离子渗氮技术的区别4
1.2.3等离子体浸泡式离子注入技术与沉积（PIIID）技术5
1.3束线离子注入与等离子体浸泡式离子注入技术的比较5
1.3.1 PIII与IBII技术的比较5
1.3.2两种离子注入技术要素的比较7
1.3.3 IBII和PIII各自的优势及应用领域10
1.4等离子体浸泡式离子注入与沉积技术研究现状11
1.4.1 PIII过程鞘层动力学计算机理论数值模拟技术11
1.4.2脉冲宽度可调、大面积、强流阴极弧金属等离子体源11
1.4.3高电压下慢速旋转油冷靶台与组合夹具12
1.4.4减少、抑制靶的二次电子发射13
1.4.5大功率固态电路脉冲调制器技术14
1.4.6 PIIID内表面处理技术15
1.4.7 PIIID批量、复合处理技术16
参考文献17
第2章PIII理论基础与等离子体诊断测量20
2.1真空与气体分子运动论基本概念20
2.1.1真空20
2.1.2气体分子运动论基本概念21
2.2等离子体25
2.2.1气体放电与等离子体25
2.2.2等离子体基本方程29
2.2.3平衡态性质32
2.2.4等离子体动力学36
2.3鞘层44
2.3.1基本概念与理论方程44
2.3.2 Bohm鞘层判据45
2.3.3离子阵鞘层47
2.3.4正离子阵鞘层的形成48
2.3.5动态鞘层的扩展48
2.4高能离子与材料的相互作用51
2.4.1离子射程51
2.4.2浓度分布57
2.4.3沟道效应60
2.4.4辐射损伤61
2.4.5辐射增强扩散62
2.4.6溅射63
2.4.7离子注入表面强化作用机制64
2.5等离子体及鞘层的诊断与参数测量66
2.5.1等离子体诊断与参数测量66
2.5.2鞘层扩展诊断79
参考文献81
第3章 等离子体浸泡式离子注入与沉积设备85
3.1 PIIID设备总体结构85
3.2真空处理室87
3.2.1真空处理室几何形状与尺寸88
3.2.2真空处理室材料90
3.2.3处理室本底真空度91
3.2.4多极会切磁场位形91
3.2.5电磁辐射与软X射线防护93
3.2.6处理室内衬与高压瓷绝缘柱（套）屏蔽94
3.2.7真空处理室大门95
3.2.8接口95
3.3高真空抽气系统95
3.3.1真空泵组的选择95
3.3.2高真空抽气泵的抽速和泵组配置96
3.3.3真空处理室的气体流量98
3.3.4供气系统98
3.4高压靶台及组合夹具98
3.5等离子体源100
3.5.1热阴极放电100
3.5.2高压脉冲辉光放电101
3.5.3电容耦合RF放电103
3.5.4电感耦合RF放电105
3.5.5微波放电107
3.5.6间接气体等离子体源110
3.5.7阴极弧金属等离子体源111
3.5.8其他等离子体源114
3.6大功率高压脉冲电源114
3.6.1脉冲调制器的主要技术指标115
3.6.2脉冲调制器输出的平均功率117
3.6.3脉冲调制器阻抗117
3.6.4开关装置118
3.6.5脉冲调制器控制方式118
3.6.6高压脉冲调制器类型119
3.6.7脉冲变压器124
3.6.8 PIIID系统过程诊断和控制124
3.7 PIIID设备安全与防护125
3.7.1电气安全125
3.7.2可靠接地126
3.7.3 PIIID设备安全自锁127
3.7.4电磁辐射安全127
3.7.5真空处理室安全127
3.7.6真空处理室维修安全128
3.7.7压缩气体容器128
3.7.8化学药品的安全使用128
参考文献129
第4章PIII过程的计算机数值模拟132
4.1理论模型133
4.1.1郎谬尔动态鞘层模型133
4.1.2流体模型134
4.1.3 Particle-in-cell模型138
4.2典型零部件PIII过程的数值模拟141
4.2.1多个轴承滚珠的PIII处理过程141
4.2.2轴承内外套圈PIII过程的数值模拟149
4.3基于脉冲高压辉光放电的轴承外圈滚道PIII批量处理的数值模拟170
4.4典型零部件PIII表面处理工艺参数的选择173
4.4.1高压脉冲幅值的选择173
4.4.2等离子体密度的选择174
4.4.3脉冲电压宽度的选择174
4.4.4被处理零件合理摆放位置175
参考文献175
第5章PIIID表面处理工艺及应用178
5.1 PIIID表面处理工艺178
5.1.1离子注入工艺179
5.1.2薄膜制备工艺188
5.1.3 PIIID复合处理工艺及应用200
5.2聚合物的PIIID表面改性216
5.3机械零件的PIIID批量处理工艺218
5.3.1平面形状零件的PIIID批量处理工艺及应用219
5.3.2圆柱形零件的PIIID批量处理工艺及应用219
5.3.3零件内表面的PIIID批量处理工艺及应用220
5.3.4球形零件的PIIID批量处理工艺及应用220
5.4改性层表面分析与表面检测221
参考文献225
结束语 等离子体浸泡式离子注入与沉积（PI）技术前景展望229
附录1主要英文缩写231
附录2主要物理常数234
附录3公式235
附录4单位换算表238