图书介绍
低温多晶薄膜晶体管研究PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 金仲和编著 著
- 出版社： 北京：高等教育出版社
- ISBN：7040102838
- 出版时间：2001
- 标注页数：134页
- 文件大小：11MB
- 文件页数：142页
- 主题词：薄膜晶体管(学科: 研究) 薄膜晶体管
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图书目录
第1章 绪论1
1.1 薄膜晶体管的应用2
1.2 薄膜晶体管的分类4
1.3 多晶薄膜晶体管的结构6
1.4 多晶硅薄膜晶体管研究现状7
1.4.1 非晶硅和多晶硅薄膜的淀积7
1.4.2 非晶硅的固相结晶9
1.4.3 脉冲激光快速退火10
1.5 多晶锗硅薄膜晶体管研究现状11
1.6 本书的主要内容12
第2章 多晶锗硅薄膜的电特性15
2.1 锗硅薄膜低压气相沉积系统简介15
2.2 样品的制备16
2.3 离子注入后的退火条件对电特性影响18
2.4 离子注入前退火对电特性的影响24
2.5 薄膜电特性与锗含量的关系27
2.6 小结30
第3章 锗硅薄腊晶体管的栅介质材料研究32
3.1 用高频溅射氧化硅提高锗硅薄膜晶体管的性能34
3.1.1 氧化硅／锗硅界面的材料分析34
3.1.2 锗硅薄膜晶体管的制作37
3.1.3 锗硅薄膜晶体管的电特性39
3.2 等离子体辅助反应溅射Al2O341
3.2.1 氧化铝的制备及材料分析41
3.2.2 N沟道多晶锗硅薄膜晶体管的制作43
3.2.3 晶体管的性能44
3.3 小结46
第4章 金属诱导非晶硅横向结晶48
4.1 样品的制备50
4.2 金属诱导横向结晶多晶硅薄膜的结构51
4.2.1 镍覆盖区下非晶硅的结晶51
4.2.2 镍覆盖区外的非晶硅结晶52
4.2.3 横向结晶区晶粒的精细结构55
4.3 金属诱导横向结晶多晶硅中杂质分布57
4.3.1 镍覆盖区下杂质的分布与状态58
4.3.2 镍覆盖区、横向结晶区、非晶硅区的杂质含量59
4.3.3 镍在横向结晶／非晶硅区的界面处的积聚62
4.4 金属诱导横向结晶的速度及其制约因素66
4.4.1 横向结晶长度、速度与退火时间的关系66
4.4.2 横向结晶速度与退火温度的关系68
4.4.3 横向结晶的方向性68
4.4.4 横向结晶对镍原始图形的依赖性71
4.4.5 镍覆盖区的存在对横向结晶的影响73
4.4.6 非晶硅在长时间退火过程中的变化对横向结晶的影响76
4.4.7 横向结晶对各因素依赖性的解释77
4.5 金属诱导结晶与横向结晶的机理78
4.5.1 共溶金属诱导结晶的理论模型79
4.5.2 硅化物金属诱导结晶理论79
4.5.3 对Hayzelden理论模型的修正80
4.5.4 Hayzelden修正模型的局限性82
4.5.5 金属诱导结晶和金属诱导横向结晶的统一理论83
4.6 小结85
第5章 超薄沟道多晶硅薄膜晶体管88
5.1 器件结构与制作90
5.2 器件的电特性93
5.2.1 金属诱导结晶薄膜晶体管的电特性93
5.2.2 固相结晶多晶硅薄膜晶体管的电特性97
5.3 器件特性与材料性质的关系99
5.3.1 迁移率与薄膜结构的关系100
5.3.2 漏电和材料结构及杂质含量的关系100
5.4 小结102
第6章 总结104
6.1 锗硅薄膜晶体管104
6.2 金属诱导横向结晶及超薄沟道多晶硅薄膜晶体管106
6.3 两种薄膜晶体管的应用前景108
参考文献109
致谢133