图书介绍
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- 吴德馨等编著 著
- 出版社： 北京：化学工业出版社
- ISBN：7502535926
- 出版时间：2002
- 标注页数：236页
- 文件大小：13MB
- 文件页数：252页
- 主题词：暂缺
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图书目录
第1章 绪论1
1．1 微电子技术发展历程1
1．2 微电子技术取得的成就3
1．3 微电子技术面临的挑战4
1．3．1 大直径的硅材料4
1．3．2 光刻技术5
1．3．3 器件工艺7
参考文献9
第2章 基于IP的集成电路设计11
2．1 系统芯片（SOC）设计11
2．2 SOC系统芯片与芯片的设计再利用12
2．2．1 系统集成芯片12
2．2．2 SOC芯片的设计模式13
2．2．3 芯片的设计再利用16
2．2．4 SOC芯片设计的技术优势18
2．3 IP知识产权模块19
2．3．1 IP模块的定义19
2．3．2 IP模块的种类与应用20
2．3．3 嵌入式IP核与通用IP模块22
2．3．4 IP模块的设计与应用服务23
2．4 基于IP的SOC芯片设计24
2．4．1 SOC芯片系统设计24
2．4．2 IP模块连接与芯片总线26
2．4．3 SOC芯片的物理设计27
2．4．4 芯片的验证与测试28
2．5 SOC设计展望28
参考文献29
第3章 微细加工技术31
3．1 微细加工技术简介31
3．2．光学曝光技术33
3．2．1 接触式和接近式复印曝光技术34
3．2．2 光学投影成像曝光技术35
3．2．3 移相掩模技术37
3．3 X射线光刻技术38
3．3．1 同步辐射X射线曝光光源38
3．3．2 X射线点光源39
3．3．3 X射线分步重复步进曝光机40
3．3．4 X射线光刻掩模41
3．3．5 X射线光致抗蚀剂43
3．3．6 X射线光刻基础工艺44
3．3．7 X射线光刻的前景与展望45
3．4 电子束曝光技术47
3．4．1 电子束曝光技术的发展47
3．4．2 多束微阵列电子束直写技术50
3．4．3 SCALPEL技术51
3．5 极紫外光刻技术53
3．5．1 EUVL的基本原理54
3．5．2 EUV光源55
3．5．3 EUVL光学系统57
3．5．4 EUV光刻掩模59
3．5．5 EUV光刻胶及光刻机60
3．5．6 EUVL成本的简要分析62
3．5．7 EUV光刻的前景与展望62
参考文献63
第4章 深亚微米CMOS器件及电路制造技术66
4．1概述66
4．2现代深亚微米CMOS器件67
4．2．1现代深亚微米CMOS器件物理67
4．2．2现代深亚微米CMOS器件结构和技术进程72
4．3集成电路工艺技术75
4．3．1硅片特性与生长技术75
4．3．2CMOS集成电路生产环境净化技术76
4．3．3氧化和热处理技术78
4．3．4掺杂技术80
4．3．5薄膜生长技术83
4．3．6图形加工技术87
4．4集成电路工艺模块91
4．4．1阱工艺结构91
4．4．2器件隔离92
4．4．3薄栅氧化93
4．4．4金属化93
4．4．5源漏工程与浅结96
4．4．6多层互连97
4．5 CMOS集成电路工艺集成102
4．5．1各类CMOS工艺集成技术102
4．5．2深亚微米CMOS工艺流程103
4．5．3MOS存储器技术105
参考文献106
第5章 化合物半导体器件和电路110
5．1化合物半导体材料简介112
5．1．1禁带宽度113
5．1．2载流子迁移率115
5．1．3能带结构116
5．1．4混晶117
5．1．5异质结117
5．2GaAs器件及集成电路118
5．2．1 GaAs二极管118
5．2．2 GaAs MESFET121
5．2．3 GaAs HBT122
5．2．4 GaAs集成电路124
5．3InP基器件及集成电路128
5．3．1 InP HEMT128
5．3．2 InP HBT129
5．3．3 InP光电器件和电路简介130
5．4锗硅器件及集成电路133
5．4．1锗硅材料的特点133
5．4．2锗硅HBT结构、工作原理和特点134
5．4．3应用及前景136
5．5化合物半导体器件的发展趋势137
5．5．1 GaAs和InP器件137
5．5．2 SiC器件137
5．5．3 GaN器件138
5．5．4 SiGe器件139
5．5．5材料制备及其他139
第6章 双极和BiCMOS器件以及电路141
6．1双极集成电路中的基本元件142
6．1．1NPN管142
6．1．2PNP管143
6．1．3二极管144
6．1．4肖特基（SBD）钳位双极晶体管144
6．2双极集成电路中的基本电路145
6．2．1双极数字电路145
6．2．2模拟集成电路中的常见单元电路149
6．3双极集成电路的工艺实现152
6．4选进的双极工艺154
6．4．1先进的隔离技术154
6．4．2多晶硅发射极155
6．4．3异质结双极晶体管（BJT）技术156
6．4．4自对准双极晶体管技术157
6．4．5双极集成电路发展趋势157
6．5性能卓越的BiCMOS电路158
6．5．1数字逻辑电路和门阵列159
6．5．2接口驱动电路159
6．5．3 BiCMOS SRAM160
6．5．4在模数混合电路中的应用160
6．6 BiCMOS器件和电路制造技术161
6．7选进的BiCMOS技术及其在数模混合电路和系统集成中的应用162
6．7．1多晶硅发射极的BiCMOS工艺163
6．7．2 SiGe BiCMOS工艺163
6．7．3先进的BiCMOS技术的应用164
参考文献165
第7章 新型封装技术166
7．1概述166
7．2传统封装技术的工艺过程168
7．2．1引线键合168
7．2．2各种封装形式169
7．2．3老化、筛选分类+可靠性例行试验171
7．3新型封装技术173
7．3．1倒装焊技术的发展历程及前景173
7．3．2 FC工艺中芯片凸点的形成技术175
7．3．3倒装芯片的焊接方式179
7．3．4倒装工艺中的芯片下填充技术180
7．3．5凸焊点的质量检验和可靠性试验181
7．4跨世纪的电路装联技术182
7．4．1多芯片模块组装技术（MCM）182
7．4．2系统级封装185
7．5下一代微型器件组装技术——电场贴装187
参考文献191
第8章 超大规模集成电路测试技术193
8．1简介193
8．1．1概述193
8．1．2 VLSI电学特性测试193
8．1．3可靠性测试195
8．1．4在线工艺监控(In-Line Process Control Monitor)199
8．1．5测试数据的统计分析201
8．1．6测试成本202
8．2数字电路测试202
8．2．1数字电路失效模型205
8．2．2数字测试图形的产生209
8．2．3存储器测试213
8．2．4 IDDQ——准静态电流测试分析法219
8．3 模拟电路及数模混合电路测试221
8．3．1 模拟电路测试221
8．3．2混合电路测试224
8．4 测试技术展望226
8．4．1 VLSI的发展对测试技术的挑战226
8．4．2 可测性设计（Design for Testability）227
8．4．3 WLR——硅片级可靠性测试231
8．5 世界主要测试设备公司及产品简介233
8．5．1 IC测试设备233
8．5．2 世界主要测试设备公司235
参考文献236