图书介绍
硅基应变半导体物理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 宋建军，杨雯，赵新燕著 著
- 出版社： 西安：西安电子科技大学出版社
- ISBN：7560652948
- 出版时间：2019
- 标注页数：132页
- 文件大小：14MB
- 文件页数：140页
- 主题词：硅基材料－半导体物理学－研究
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图书目录
第1章 应变实现方法1
1.1 应力引入方法1
1.1.1 通过机械力引入应力1
1.1.2 全局应变引入应力2
1.1.3 源／漏（S/D）植入引入应力2
1.1.4 SiN帽层引入应力3
1.1.5 应力释放引入应力3
1.1.6 应力记忆引入应力4
1.1.7 Ge预非晶化引入应力4
1.2 临界厚度及应变测定方法4
1.2.1 临界厚度4
1.2.2 应变测定方法6
1.3 本章小结8
习题8
第2章 硅基应变材料能带E-k关系9
2.1 应变张量模型9
2.1.1 应变张量通解9
2.1.2（001）、（111）、（101）面应变张量12
2.2 硅基应变材料赝晶结构模型15
2.3 形变势模型18
2.4 定态微扰理论19
2.4.1 能级非简并情况20
2.4.2 能级简并情况21
2.5 硅基应变材料导带E-k关系22
2.6 硅基应变材料价带E-k关系25
2.6.1 弛豫Si价带E-k关系25
2.6.2 硅基应变材料价带E-k关系31
2.7 本章小结38
习题38
第3章 硅基应变材料基本物理参数模型39
3.1 硅基应变材料导带结构模型39
3.1.1 硅基应变材料导带能谷简并度39
3.1.2 硅基应变材料导带能谷能级40
3.2 硅基应变材料价带结构模型42
3.2.1 硅基应变材料价带Γ点处能级42
3.2.2 应变Si价带结构45
3.3 硅基应变材料空穴有效质量48
3.3.1 硅基应变材料空穴各向异性有效质量48
3.3.2 硅基应变材料空穴各向同性有效质量69
3.4 硅基应变材料态密度73
3.4.1 硅基应变材料导带底附近态密度73
3.4.2 硅基应变材料价带顶附近态密度76
3.5 硅基应变材料有效状态密度及本征载流子浓度78
3.6 本章小结84
习题84
第4章 基于CASTEP的应变Si能带结构分析85
4.1 CASTEP软件的主要理论85
4.1.1 密度泛函理论（DFT）85
4.1.2 赝势88
4.1.3 分子轨道的自洽求解89
4.1.4 CASTEP软件的几项关键技术90
4.2 基于CASTEP的应变Si能带结构分析90
4.2.1 能带分析选项卡的设定90
4.2.2 能带分析结果93
4.3 结果分析与讨论98
4.3.1（001）应变Si带边分析98
4.3.2（101）应变Si带边分析101
4.3.3（111）应变Si带边分析104
4.4 本章小结106
习题106
第5章 Ge组分（x）与应力转化模型107
5.1 转化原理及模型107
5.2 （101）面双轴应力与Ge组分的关系112
5.3 结果分析与讨论113
5.4 本章小结114
习题114
第6章 硅基应变材料载流子散射机制与迁移率115
6.1 费米黄金法则115
6.2 跃迁概率及散射概率模型119
6.3 载流子迁移率模型128
6.4 本章小结129
习题129
参考文献130