图书介绍
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- 《硅器件技术新进展》编译组编 著
- 出版社： 上海：上海科学技术文献出版社
- ISBN：15192·194
- 出版时间：1982
- 标注页数：167页
- 文件大小：12MB
- 文件页数：170页
- 主题词：
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图书目录
目录1
硅片加工工艺学：切片，腐蚀，抛光1
硅鉴定技术的趋向10
扫描超声显微镜14
硅工艺中红外光测弹性测量的应用18
硅中的氧22
论硅器件中原始的长入缺陷与加工过程中引入的缺陷及层错的消除32
不产生晶体缺陷的高浓度扩散40
浓磷扩散硅片的反常弯曲分析50
用双层源改进硅的高浓度砷扩散56
使用高压电子显微镜（HVEM）研究硅器件晶格缺陷的优点61
硅片上由多晶硅薄膜引起的周期性应力场影响下的位错结构67
CVD硅外延膜中堆垛层错核化和生长机理73
双极型晶体管中发射区“管道”的由来和发展81
硅微电子学中的物理限制88
用稳态和瞬态的结电容和电流的方法探测半导体中的缺陷和杂质中心93
集成电路工序的工程模型及其应用106
新时代的集成电路工厂——概貌113
大规模集成电路制造中场效应晶体管器件参数的模拟方法121
在双极型集成电路的设计和工序控制中注入和扩散模型方法的最新进展128
高频晶体管和集成电路的新工艺方法139
用离子注入氧化隔离方法制成的肖特基TTL的特性147
在等离子体腐蚀中用光发射谱进行终点探测153
采用微波激发的长寿命活性物质的一种干法腐蚀工艺161