图书介绍
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- 马奎，龚红，唐召焕编著 著
- 出版社： 北京：清华大学出版社
- ISBN：9787302487692
- 出版时间：2018
- 标注页数：166页
- 文件大小：25MB
- 文件页数：179页
- 主题词：集成芯片－设计
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图书目录
第1章 半导体物理基础及PN结简介1
1.1半导体物理基础1
1.1.1晶体结构体1
1.1.2基元、点阵和晶格2
1.1.3原胞、基矢、晶向和晶面2
1.1.4能带的形成4
1.1.5锗、硅和砷化镓的能带结构6
1.1.6绝缘体、半导体和导体7
1.1.7本征半导体、半导体中的载流子、空穴7
1.2载流子的输运8
1.2.1扩散运动8
1.2.2漂移运动10
1.3 PN结简介15
1.3.1 PN结的形成及其基本特性15
1.3.2平衡PN结的能带结构和载流子分布18
1.3.3非平衡PN结的能带结构和载流子分布20
1.3.4 PN结的电场和电势分布23
1.4 PN结的有关特性28
1.4.1 PN结的直流特性28
1.4.2 PN结的电容特性33
1.4.3 PN结的小信号交流特性37
1.4.4 PN结的开关特性37
1.4.5 PN结的击穿39
第2章 双极型器件及集成电路设计45
2.1双极型晶体管的结构45
2.2双极型晶体管的工作原理47
2.2.1双极型晶体管内载流子的输运过程47
2.2.2晶体管的直流特性50
2.3双极型晶体管设计65
2.3.1 NPN双极型晶体管的设计要求及预期参数65
2.3.2参数设计66
2.3.3仿真分析67
2.4双极型集成电路设计71
2.4.1双极型集成电路设计基础71
2.4.2双极型集成电路设计实例71
第3章 场效应器件及MOS型集成电路设计79
3.1 MOSFET结构及工作原理79
3.1.1半导体表面的特性和理想MOS结构79
3.1.2 MOSFET结构及其工作原理87
3.1.3 MOSFET的阈值电压91
3.1.4 MOSFET的电流、电压关系96
3.1.5 MOSFET的击穿电压102
3.1.6 MOSFET的高频等效电路和频率特性106
3.2 JFET结构及工作原理109
3.2.1结型场效应晶体管的工作原理109
3.2.2 JFET的电流—电压方程111
3.2.3 JFET的直流参数和频率参数114
3.3场效应器件设计118
3.3.1 MOSFET的设计要求及预期参数118
3.3.2材料参数设计119
3.3.3仿真分析119
3.4 MOS型集成电路设计121
3.4.1 MOS型集成电路设计基础121
3.4.2 MOS型集成电路设计实例121
第4章 大功率器件及功率集成电路设计131
4.1大功率器件简介131
4.2大功率器件设计132
4.2.1 VDMOS耐压层的设计132
4.2.2 VDMOS原胞的设计及仿真分析134
4.2.3 VDMOS的终端结构设计138
4.3功率集成技术简介143
4.4功率集成电路设计实例144
4.4.1系统方案设计144
4.4.2检测、比较电路模块144
4.4.3控制电路模块146
4.4.4驱动电路模块148
4.4.5保护电路模块151
4.4.6整体电路设计157
4.4.7集成智能功率模块版图设计157
参考文献161
附录A硅芯片制作、MOS管芯片制造原理、集成电路芯片设计参考视频162
附录B常用物理常数163
附录C主要符号表164