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目录1

第一章 引论1

1 引言1

2 半导体理论1

3．金属间化合物3

4．金属-半导体接触4

5．半导体-半导体接触6

6．结论8

第二章 砷化镓场效应晶体管的小信号理论9

1．引言9

的工作原理10

3 肖特基势垒MESFET10

2 MESFET的材料10

A．饱和电流，小信号参数和开关时间13

B．小信号等效电路17

C．GaAs MESFET的噪声理论19

D．GaAs FET的最小噪声系数21

E．噪声参量的实用方程26

F．低噪声GaAs FET的设计举例28

G．GaAs FET与双极晶体管作为低噪声器件的性能比较……………………………？4 双栅FET31

A．等效电路参数33

B．第二栅终端阻抗对增益的影响35

C．增益控制与第二栅偏压的关系37

D．噪声性能38

6．参考文献40

5．结论40

第三章 功率砷化镓场效应晶体管44

理论44

1．引言44

2．工作原理44

3．GaAs FET的大信号模型46

A．沟道电容CGs47

B．跨导gm49

C．反馈电容CFB49

D．本征沟道电阻Rl和输出电阻RO49

E．耿氏畴电阻RGD49

4．GaAs功率FET的基波和谐波非线性特性49

5．交调特性51

6．功率FET器件的性能55

A．用来增大栅宽的结构55

B．寄生参量的减少59

C．热阻61

D．源漏烧毁及栅漏雪崩击穿62

7．功率FET成果64

8．结论66

9．参考文献66

第四章 砷化镓场效应晶体管的材料要求和制作70

1．引言70

2．材料要求70

A．外延层70

B．液体密封“切克劳斯基”生长（简称LEC）78

C．离子注入79

3．FET制作工艺88

A．自对准栅工艺88

B．凹槽沟道工艺89

C．离子注入FET工艺91

4．结论92

5．参考文献92

第五章　晶体管放大器的设计98

1．引言98

2．低噪声小信号放大器98

A．S参数98

B．双口网络的稳定性100

C．转换功率增益102

D．单向化等增益圆103

E．单向化优质因数104

F．增益随漏极电流和温度的变化104

G．输出功率的最佳负载条件105

H．GaAs FET的等效电路106

3．窄带放大器设计举例107

A．输入匹配电路107

B．输出匹配的网络108

4　宽带放大器设计举例109

A．不考虑稳定性时的集中元件设计109

B．考虑稳定时的集中元件设计109

C．分布参数设计111

B．等噪声系数圆112

A．引言112

5．按最佳噪声系数设计放大器112

C．噪声模型113

6 按最佳噪声系数114

设计宽带放大器举例114

A．输入匹配网络114

B．输出匹配网络118

7．计算机辅助设计120

A．微波CAD程序的一般格式120

8 网络综合121

9 单端和平衡放大器125

10．放大器特性的离散性127

A．管子的差异和电路的敏感度127

设计放大器128

B．放大器性能随温度的变化128

11　按线性输出功率的要求128

12 反馈、共栅和源跟随器电路在FET放大器设计中的应用129

A．反馈放大器129

B．共栅和源跟随器电路131

13．功率放大器134

A．引言134

B．直流特性134

C．功率GaAs FET的高频特性135

A．稳频技术136

D．功率FET的匹配电路拓扑137

14．窄带功率FET放大器设计137

15 宽带功率FET放大器设计138

16．按最大无杂波动态范围设计139

放大器139

17．功率合成技术140

18 功率放大器的散热设计141

19．功率FET的脉冲工作状态141

20 反射放大器143

21．结论145

22．参考文献146

第六章　场效应晶体管混频器150

1．引言150

2．GaAs FET混频器150

A．本振加在栅极和源极之间150

B．本振加在漏极和源极之间156

3．栅极混频器的实验结果159

4．噪声系数160

5．FET混频器的动态范围162

6．单栅FET混频器的改进电路163

7 双栅混频器164

8 镜像抑止混频器166

9 双栅FET上变频器167

10 双栅FET倍频器168

11 结论170

12 参考文献170

3 S参数变换173

2 负阻的产生173

第七章 砷化镓场效应晶体管振荡器173

1 引言173

4 振荡器的设计177

A．理论分析177

B．小信号和大信号分析179

5 振荡器的性能综述180

A．输出功率182

B．噪声183

6 稳频振荡器184

7．介质谐振器185

A．介质谐振器的谐振频率186

8 介质谐振器稳频的FET振荡器189

A．对电调谐振荡器的要求195

9 电调谐的GaAs FET振荡器195

10．变容管调谐FET振荡器196

11．YIG调谐197

GaAs FET振荡器197

A．YIG谐振器197

B．性能综述199

12．脉冲射频振荡器201

13．结论203

14．参考文献203

第八章　微波场效应管的封装208

1．引言208

2．管壳与密封208

3．管壳模型211

4 预匹配GaAs FET212

5．封装及热阻215

6．结论216

7．参考文献217

第九章　FET的其它电路218

1．引言218

2．开关218

3．移相器223

4 鉴频器227

5 GaAs FET振荡器230

6．脉冲振荡器231

8．参考文献232

7．结论232

第十章　砷化镓集成电路235

1．引言235

2．单片微波电路设计235

A．集中元件235

B．分布参数元件240

C．GaA s平面二极管242

D．低频电路技术244

E．高频电路技术248

3．数字电路253

A．引言253

B．砷化镓数字电路技术256

A．对一些集成电路工艺的评述264

4．GaAs集成电路工艺264

B．电阻工艺269

C．电容工艺271

D．等离子体蚀刻274

E．离子磨削274

F．电感275

G．内部互连275

5 集成电路实例275

A．小信号放大器276

B．功率放大器281

C．振荡器286

D．开关287

E．混频器288

F．集成电路的未来水平290

G．数字电路292

6．结论297

7 参考文献297

第十一章　新材料和新结构303

1．引言303

2．Inp MES FET303

3．Inp MIS FET306

4．三元和四元化合物MESFET308

5．穿通基区晶体管312

6 冲击电子晶体管315

7．结论317

8．参考文献318