图书介绍
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- （美）勃莱克莫尔，J.S.著；黄启圣，陈仲甘译 著
- 出版社： 上海：上海科学技术出版社
- ISBN：13119·664
- 出版时间：1965
- 标注页数：332页
- 文件大小：14MB
- 文件页数：339页
- 主题词：
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图书目录
第Ⅰ部分 处于热平衡的半导体2
1 固体电子理论的基本概念2
1．1 金属电导的经典理论2
1．2 量子统计学和自由电子理论4
1．3 固体的能带理论13
1．4 载流子的有效质量30
1．5 几种具有代表性的半导体的能带形状44
1．6 各种形态的杂质中心(缺陷)58
2．费密能极—电子密度的平衡62
2．1 费密-狄喇克积分65
2．2 自由电子密度和费密能级的相互关系68
2．3 本征半导体78
2．4 本征情况下和非本征情况下的乘积N0F0和φ88
2．5 载流子密度的空间涨落94
3．杂质能级起主要作用的半导体98
3．1 杂质能级的分布函数98
3．2 由单种单价施主控制的半导体100
3．3 具有几种束缚能级的半导体128
3．4 晶格缺陷的影响135
3．6 杂带和杂质金属的行为139
第Ⅱ部分 含有过剩载流子的半导体150
4．影响载流子跃迁率的因素150
4．1 跃迁概率的倒易性150
4．2 连续性方程159
4．3 能带间和能带到缺陷的跃迁163
5．辐射和无辐射复合166
5．1 两个过程的物理学166
5．2 辐射寿命的行为173
6．带间的俄歇复合182
6．1 电子-电子和空穴-空穴碰撞183
6．2 mc＜mv时的俄歇寿命188
7．缺陷对自由载流子的俘获202
7．1 缺陷的俘获机理202
7．2 非本征寿命的行为208
7．3 同两个能带的相互作用211
8．通过一组单价缺陷的复合214
8．1 两个连续性方程214
8．2 陷阱的判据221
8．3 小缺陷密度时的寿命(S-R模型)225
8．4 任意缺陷密度的稳定态条件236
8．5 任意缺陷密度时的瞬态衰退241
9．1 多价缺陷260
9．缺陷复合的更复杂的例子260
9．2 多于一种类型的缺陷263
9．3 Haynes-Hornbeck陷阱模型264
9．4 在位错上的复合和陷落271
10．过剩载流子的空间分布273
10．1 同空间有关的问题的处理方法273
10．2 包含有结和接触的情形275
10．3 均匀样品中的过剩载流子的空间效应276
10．4 丝状样品中的寿命284
附录295
A．费密-狄喇克分布律295
B．费密-狄喇克积分表297
C．费密-狄喇克积分的一些性质和应用304
参考文献315
索引324